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Renesas Electronics MOSFET MOSFET 3400 mA 8-Pin SOIC 20V 365 ns

Marke: Renesas Electronics

Hersteller Artikel-Nr.: HIP2211FBZ-T7A-RS

Produkt-Nr.: P-DRH3VB

Technische Daten

Abfallzeit
365ns
Anstiegszeit
435ns
Ausgangsstrom
3400mA
Betriebstemperatur min.
-65°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
1.75mm
Länge
5mm
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Versorgungsspannung
20V
Minimale Versorgungsspannung
18V

Produktbeschreibung

Der hochfrequente High-Frequency-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber Renesas mit 100 V, 3 A Quelle und 4 A Senke gehört zur Serie HIP2211. Dieser Treiber verfügt über eine 8-polige Konfiguration. Er verfügt über einen dreistufigen PWM-Eingang mit programmierbarer Totzeit.Schnelle Laufzeit und Anpassung mit 15 ns typischer Verzögerung und 2 ns typischer Anpassung Er verfügt über eine integrierte 0,5-O-typische Bootstrap-Diode 115 V dc Bootstrap-Versorgungsspannung unterstützt 100 V auf der Halbbrücke

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Artikeltyp
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