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Renesas Electronics MOSFET MOSFET 2 A 2 8-Pin SOIC 14V 500 ns

Marke: Renesas Electronics

Hersteller Artikel-Nr.: HIP2101IBZ

Produkt-Nr.: P-DRHX46

Technische Daten

Abfallzeit
500ns
Anstiegszeit
500ns
Anzahl der Treiber
2
Ausgangsstrom
2A
Betriebstemperatur min.
-55°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
1.75mm
Länge
5mm
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Versorgungsspannung
14V

Produktbeschreibung

Die Geräte der Serie HIP2101 von Renesas Electronics sind hochfrequente, 100-V-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC. Es entspricht dem Hip2100 mit dem zusätzlichen Vorteil vollständiger TTL/CMOS-kompatibler Logikeingangsstifte. Unterspannungsschutz an beiden Niedrige und hohe Versorgungsspannungen zwingen die Ausgänge niedrig. Eine integrierte Diode beseitigt die diskrete Diode, die für andere Treiber-ICs erforderlich ist.Steuert N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke SOIC-, EPSOIC-, QFN- und DFN-Gehäuseoptionen Bootstrap-Versorgungsspannung: Max. Spannung bis 114 V dc

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