Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul MOSFET 3 A 8-Pin SOIC 100 V 10 ns

Name: Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul MOSFET 3 A 8-Pin SOIC 100 V 10 ns
Brand: Renesas Electronics

Marke: Renesas Electronics

Hersteller Artikel-Nr.: HIP2101EIBZ

Produkt-Nr.: P-DRGBPP

Technische Daten

Abfallzeit: 10ns
Anstiegszeit: 10ns
Ausgangsstrom: 3A
Automobilstandard: Nein
Betriebstemperatur min.: -40°C
Gehäusegröße: SOIC
Höhe: 1.7mm
Maximale Betriebstemperatur: 125°C
Maximale Versorgungsspannung: 100V
Minimale Versorgungsspannung: 100V
Normen/Zulassungen: RoHS
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: Gate-Treiber-Modul
Serie: HIP2101
Treiber-Typ: MOSFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Gate-Treiber-Modul
Ausgangsstrom = 3A
Pinanzahl = 8
Abfallzeit = 10ns
Treiber-Typ = MOSFET
Anstiegszeit = 10ns
Minimale Versorgungsspannung = 100V
Maximale Versorgungsspannung = 100V
Betriebstemperatur min. = -40°C
Maximale Betriebstemperatur = 125°C
Breite = 3.98 mmmm
Automobilstandard = Nein