Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul MOSFET 1.69 mA 10-Pin SOIC 100 V 790 ns

Name: Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul MOSFET 1.69 mA 10-Pin SOIC 100 V 790 ns
Brand: Renesas Electronics

Marke: Renesas Electronics

Hersteller Artikel-Nr.: HIP2210FRTZ

Produkt-Nr.: P-DRFN3H

Technische Daten

Abfallzeit: 790ns
Anstiegszeit: 20ns
Ausgangsstrom: 1.69mA
Betriebstemperatur min.: -40°C
Gehäusegröße: SOIC
Höhe: 1.75mm
Länge: 5mm
Maximale Betriebstemperatur: 125°C
Maximale Versorgungsspannung: 100V
Minimale Versorgungsspannung: 100V
Normen/Zulassungen: RoHS
Pinanzahl: 10
Produkt Typ: Gate-Treiber-Modul
Serie: HIP2210
Treiber-Typ: MOSFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Gate-Treiber-Modul
Ausgangsstrom = 1.69mA
Pinanzahl = 10
Abfallzeit = 790ns
Treiber-Typ = MOSFET
Anstiegszeit = 20ns
Minimale Versorgungsspannung = 100V
Maximale Versorgungsspannung = 100V
Betriebstemperatur min. = -40°C
Maximale Betriebstemperatur = 125°C
Breite = 4 mmmm
Automobilstandard = Nein