Renesas Electronics Darlington-Transistor 1 80 V 4 A NPN HFE:750, SOT-32 3-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

750

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

5V

Gehäusegröße

SOT-32

Höhe

10.8mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

80V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

80V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2.5V