Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort 16 bit, TSOP 44-Pin
Technische Daten
- Adressbusbreite
- 16bit
- Anzahl der Bits pro Wort
- 16
- Anzahl der Wörter
- 256K
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- TSOP
- Höhe
- 1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 85°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 3.6V
- Minimale Versorgungsspannung
- 3V
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 44
- Produkt Typ
- SRAM
- Speicher Größe
- 4MB
- Timing Typ
- Asynchron
- Zugriffszeit max.
- 15ns
Produktbeschreibung
Der 3,3-V-CMOS-SRAM der Renesas Electronics 71V416-Serie ist als 256 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71V416 sind LVTTL-kompatibel und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Es hat den TSOP-Gehäusetyp. Das SRAM hat eine Temperaturklasse I.JEDEC-Mittenleistung/GND-Pinbelegung für geringere Geräuschentwicklung. Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 10/12/15 ns Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt LVTTL-kompatibel
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- SRAM
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