Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -2.4 A 8.33 W, 4-Pin DFN

Name: Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -2.4 A 8.33 W, 4-Pin DFN
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PMXB120EPEZ

Produkt-Nr.: P-DP6BT2

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: -30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 187mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 6.2nC
Gehäusegröße: DFN
Höhe: 0.36mm
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): -2.4A
Länge: 1.15mm
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 8.33W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: MOSFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = -2.4A
Drain-Source-Spannung Vds max. = -30V
Gehäusegröße = DFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 187mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 6.2nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 1.15mm
Automobilstandard = Nein

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Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 25Mengenintervall: 25

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