Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.6 A 4.15 W, 3-Pin SOT-23
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- -20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 63mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 14.7nC
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Höhe
- 1mm
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- -5.6A
- Länge
- 3mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 4.15W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = -5.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = -20V
Gehäusegröße = SOT-23
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 63mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 4.15W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043664750
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