Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.3 A 5.44 W, 3-Pin SOT-23
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- -20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 57mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 11nC
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Höhe
- 1mm
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- -5.3A
- Länge
- 3mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 5.44W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
P-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.Trench MOSFET-Technologie Sehr schnelle Schaltung Verbessertes Verlustleistungsvermögen: Ptot = 980 mW Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM AEC-Q101-qualifiziert Relaistreiber Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber High-Side-Lastschalter Schalten von Stromkreisen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043649795
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