Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.9 A 1.92 W, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

76mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.6nC

Gehäusegröße

SOT-23

Höhe

1mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3.9A