Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -2.9 A 8.33 W, 4-Pin DFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- -20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 950mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 6.8nC
- Gehäusegröße
- DFN
- Höhe
- 0.36mm
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- -2.9A
- Länge
- 1.15mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 8.33W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = -2.9A
Drain-Source-Spannung Vds max. = -20V
Gehäusegröße = DFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 950mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 6.8nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 1.15mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043631646
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