Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -12 V / -3.2 A 8.33 W, 4-Pin DFN

Name: Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -12 V / -3.2 A 8.33 W, 4-Pin DFN
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PMXB65UPEZ

Produkt-Nr.: P-DRKWFS

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: -12V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 880mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 6.7nC
Gehäusegröße: DFN
Höhe: 0.36mm
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): -3.2A
Länge: 1.15mm
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 8.33W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: MOSFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = -3.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = -12V
Gehäusegröße = DFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 880mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 1.15mm
Automobilstandard = Nein