Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 4.1 A 15.6 W, 8-Pin DFN

Name: Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 4.1 A 15.6 W, 8-Pin DFN
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PMPB95ENEAX

Produkt-Nr.: P-DRKWFK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 202mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 9.9nC
Gehäusegröße: DFN
Höhe: 0.65mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 4.1A
Länge: 2.1mm
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 15.6W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.1A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = DFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 202mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 9.9nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 2.1mm
Automobilstandard = AEC-Q101