Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.1 A 8.36 W, 3-Pin SOT-23

Name: Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.1 A 8.36 W, 3-Pin SOT-23
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PMV55ENEAR

Produkt-Nr.: P-DRKWFY

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 120mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 12.7nC
Gehäusegröße: SOT-23
Höhe: 1mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 3.1A
Länge: 3mm
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 8.36W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3.1A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SOT-23
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 120mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 12.7nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3mm
Automobilstandard = AEC-Q101