Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 211 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

7mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

70.8nC

Gehäusegröße

TO-263

Höhe

4.5mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Länge

10.3mm