Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 0.41 A 375 W, 4-Pin LFPAK88

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

50V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.9mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

112nC

Gehäusegröße

LFPAK88

Höhe

8.1mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

0.41A

Länge

8.1mm