Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 211 W, 4-Pin TO-220
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5.6mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 71nC
- Gehäusegröße
- TO-220
- Höhe
- 4.7mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 100A
- Länge
- 10.3mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 211W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
N-Kanal-MOSFETs, 40 V – 60 V, MOSFETs mit Logik- und Standardpegel in einer Vielzahl von Gehäusen. Entdecken Sie unsere robusten und einfach zu verwenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V, die Teil unseres massiven Portfolios von MOSFET-Bauelementen sind. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltperformance und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA).N-Kanal TO220 40 V, 2,8 mΩ MOSFET für Standardpegel, N-Kanal-MOSFET für Standardpegel in TO220-Gehäuse, qualifiziert bis 175 °C. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen in Industrie-, Kommunikations- und Haushaltsgeräten entwickelt und zugelassen.Hoher Wirkungsgrad aufgrund der geringen Schalt- und Leitungsverluste Robuste Bauweise für anspruchsvolle Anwendungen Gate mit Standardpegel DC/DC-Wandler Schalten von Lasten Motorsteuerung Servernetzteile
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043506715
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