Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.9 A 3.9 W, 3-Pin SOT-23

Name: Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.9 A 3.9 W, 3-Pin SOT-23
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PMV50ENEAR

Produkt-Nr.: P-DP6ZKN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 69mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 6nC
Gehäusegröße: SOT-23
Höhe: 1mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 3.9A
Länge: 3mm
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 3.9W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET

Produktbeschreibung

N-Kanal-Trench-MOSFET für 30 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.Logikstufenkompatibel Sehr schnelle Schaltung Trench MOSFET-Technologie Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM AEC-Q101-qualifiziert Relaistreiber Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber Low-Side-Lastschalter Schalten von Stromkreisen

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