Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 215 W, 4-Pin SOT-669

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.65mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

78nC

Gehäusegröße

SOT-669

Höhe

1.1mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A