Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 179 W, 4-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

65nC

Gehäusegröße

LFPAK

Höhe

1.05mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Länge

5mm