Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 55 A 45 W, 8-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

11.3mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

11.7nC

Gehäusegröße

LFPAK

Höhe

0.9mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

55A

Länge

3.4mm