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Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.3 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PMV20XNEAR

Produkt-Nr.: P-DP6ZLB

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
34mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
9.9nC
Gehäusegröße
SOT-23
Höhe
1mm
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
6.3A
Länge
3mm

Produktbeschreibung

N-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.Niedrige Schwellenspannung Sehr schnelle Schaltung Trench MOSFET-Technologie Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM AEC-Q101-qualifiziert Relaistreiber Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber Low-Side-Lastschalter Schalten von Stromkreisen

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043691763

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