Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 600 mA 4.03 W, 8-Pin DFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 0.4nC
- Gehäusegröße
- DFN
- Höhe
- 0.4mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 600mA
- Länge
- 1.15mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 4.03W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 600mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = DFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 0.4nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 1.15mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043636634
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