Nexperia Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 42 A 46 W, 8-Pin LFPAK56D
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 2
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 13.6mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 13.9nC
- Gehäusegröße
- LFPAK56D
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 42A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 46W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 42A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = LFPAK56D
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 13.6mΩ
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 13.9nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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