Nexperia Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 18.2 A 32 W, 8-Pin LFPAK56D

Name: Nexperia Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 18.2 A 32 W, 8-Pin LFPAK56D
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: BUK9K25-40RAX

Produkt-Nr.: P-DRD6FK

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 2
Automobilstandard: Nein
Betriebstemperatur min.: -55°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 29mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 6.3nC
Gehäusegröße: LFPAK56D
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 18.2A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 32W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: RoHS
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 18.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = LFPAK56D
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 29mΩ
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein