Nexperia Silizium-Verbindung Einfach 215 mA 100 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- Diodenkonfiguration
- Einfach
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Höhe
- 1.1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 1.25V
- Maximale Spitzensperrwiederholspannung (Vrrm)
- 100V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 250mW
- Maximaler Durchlassstrom (If)
- 215mA
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 4A
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Silizium-Verbindung
- Spitzensperrverzögerungszeit (trr)
- 4ns
- Subtyp
- Siliziumverbindung
Produktbeschreibung
Die Nexperia BAS16235 Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden, gekapselt in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.Niedriger Leckstrom Wiederholte Peak Reverse Spannung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schaltdioden
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