Nexperia PSMN1R1-30YLE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 265 A 192 W, 5-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.3mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

13nC

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

265A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

192W