Nexperia PSMN0R7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 300 A, 5-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.92mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±20 V

Gehäusegröße

LFPAK

Höhe

1.1mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

300A

Länge

5.3mm