Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 286 A 340 W, 5-Pin LFPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.9mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 77nC
- Gehäusegröße
- LFPAK
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 286A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 340W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- PSM
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 286A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = LFPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 77nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET