Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 238 W, 5-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.5mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

90nC

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

238W