Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 120 A 401 W, 5-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.5mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

228nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

120A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

401W