Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 200 A 135 W, 5-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.75mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

46.7nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

10 V

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

200A

Maximale Betriebstemperatur

175°C