Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 179 A 115 W, 5-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.09mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

34.1nC

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

179A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

115W