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Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 147 W, 5-Pin LFPAK

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PSMN9R8-100YSFX

Produkt-Nr.: P-DRBHJ8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
10.2mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
34nC
Gehäusegröße
LFPAK
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
80A
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
147W

Produktbeschreibung

MOSFET

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