Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 267 A 341 W, 5-Pin LFPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.07mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 161nC
- Gehäusegröße
- LFPAK
- Höhe
- 1.6mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 267A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 341W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- PSM
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 267A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = LFPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.07mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 161nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 8mm
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET