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Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 210 A 341 W, 5-Pin LFPAK

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PSMN2R9-100SSEJ

Produkt-Nr.: P-CGK3YZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
2.9mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
125nC
Gehäusegröße
LFPAK
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
210A
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
341W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 210A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = LFPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 125nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET