Zum Hauptinhalt springen

Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 341 W, 5-Pin LFPAK

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PSMN3R3-100SSFJ

Produkt-Nr.: P-CGS4DM

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
3.3mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
159nC
Gehäusegröße
LFPAK
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
180A
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
341W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 180A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = LFPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.3mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 159nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = Ha-free, RoHS
Automobilstandard = Nein

Produktangebot

4,50 €

5,36 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 1 Tag
Zustand: Neu
Garantie: 12 Monate
Maximal 1976 verfügbar

Sichere Zahlung

VISA Logo
Mastercard Logo
American Express Logo
SEPA Überweisung Logo
Rechnung

Schneller Versand

DHL Express Logo
FedEx Logo
UPS Logo

etc.

Fragen zum Produkt?

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET