Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 65 W, 5-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

71mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

16.4nC

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

18A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

65W