Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 405 W, 4-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

25°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3.95mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

176nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

120A

Maximale Betriebstemperatur

175°C