Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 115 A 238 W, 5-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5.6mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

64nC

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

115A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

238W