Nexperia PMV32UP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 415 mW, 3-Pin SOT-23
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 36mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 15.5nC
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Höhe
- 1mm
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 415mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- PMV32UP
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043340012
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