Nexperia PMV20XNE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 38mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 12.4nC
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Höhe
- 1mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 7.2A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 6.94W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- PMV20XNE
Produktbeschreibung
Robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Flipflops sind einfache Speicherelemente in der digitalen Elektronik. Flipflops ermöglichen eine Änderung des Ausgangs bei einem Flankenwechsel und bieten eine robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Mit einer Auswahl von Optionen mit Auslösung an der positiven oder der negativen Flanke sorgen sie für zusätzliche Entwurfsflexibilität.N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.Trench MOSFET-Technologie Niedrige Schwellenspannung Verbessertes Verlustleistungsvermögen von 1200 mW Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 2 kV HBM Anwendungsbereiche Relaistreiber Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber Low-Side-Lastschalter Schalten von Stromkreisen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043832050
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