Nexperia PMPB11EN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 12.5 W, 8-Pin DFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

14.5mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

13.7nC

Gehäusegröße

DFN

Höhe

0.65mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C