Nexperia PHT6NQ10T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3 A 1.8 W, 4-Pin SC-73

Name: Nexperia PHT6NQ10T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3 A 1.8 W, 4-Pin SC-73
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PHT6NQ10T,135

Produkt-Nr.: P-DRMHDR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -65°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 90mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 21nC
Gehäusegröße: SC-73
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 3A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.8W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: MOSFET
Serie: PHT6NQ10T

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = SC-73
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 90mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 21nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.7mm
Automobilstandard = Nein