Nexperia PHT6NQ10T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3 A 1.8 W, 4-Pin SC-73
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 90mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 21nC
- Gehäusegröße
- SC-73
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 3A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.8W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- PHT6NQ10T
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = SC-73
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 90mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 21nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.7mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043665245
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