Nexperia Oberfläche Transistor PnP -65 V / -100 mA, US 6-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

200

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

-6V

Gehäusegröße

US

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

-80V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

-65V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

-100mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

100MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

300mW