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Nexperia Oberfläche Transistor PnP -65 V / -100 mA, UMT 3-Pin

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: BC856BW,115

Produkt-Nr.: P-DRCGTX

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
220
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
5V
Gehäusegröße
UMT
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
80V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
-65V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
-100mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
100MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
200mW

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = -100mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = -65V
Gehäusegröße = UMT
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 80V
Maximale Verlustleistung Pd = 200mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 2.2mm
Automobilstandard = AEC-Q101

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren

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