Nexperia Oberfläche Transistor PnP -60 V / -600 mA, UMT 3-Pin

Technische Daten

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

100

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

5V

Gehäusegröße

UMT

Höhe

1.1mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

60V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

-60V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

-600mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

200MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

200mW