Nexperia Oberfläche Transistor PnP -60 V / -600 mA, SOT-23 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 50
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- -5V
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- -60V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- -60V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- -600mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 200MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 250mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- PnP
- Produkt Typ
- Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Bis zu 60 V VCEO und bis zu 800 mA IC. Unsere NPN- und PNP-Schalttransistoren bieten kürzere Speicherzeiten und deutlich verkürzte Schaltzeiten und verschaffen Ihnen damit einen Konstruktionsvorteil. Sie können aus einem umfangreichen Portfolio wählen, das Geräte in mehreren Gehäuseoptionen, einschließlich kleiner und extrem kleiner Baugrößen, umfasst. Hervorragend geeignet für Logik-Pegelwandler sowie für allgemeine Schaltvorgänge.Kurze SpeicherzeitKleine und besonders kleine GehäuseVCEO bis zu 40 V für NPN-Transistoren (– 60 V für PNP-Typen)IC-Bereich bis 800 mAPNP-Schalttransistor (60 V, 600 mA), PNP-Schalttransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-(SMD)-Kunststoffgehäuse. NPN-Ergänzung PMBT2222A, PMBT2907 (40-V-Variante)Einfacher universeller SchalttransistorAEC-Q101-qualifiziert
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059043680446
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