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Nexperia Oberfläche Transistor PnP -60 V / -10 A, SOT-669 5-Pin

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PHPT60610PYX

Produkt-Nr.: P-DRKWGZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
120
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
-8V
Gehäusegröße
SOT-669
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
-60V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
-60V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
-10A
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
85MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
25W

Produktbeschreibung

PNP-Hochleistungs-Bipolartransistor (60 V, 10 A), PNP-Hochleistungs-Bipolartransistor in einem leistungsstarken SOT669 (LFPAK56)-SMD-Kunststoffgehäuse. NPN-Ergänzung PHPT60610NYHohes Wärmekraft-AbleitungsvermögenAnwendungen bei hohen Temperaturen bis zu 175 °CGeringere Anforderungen an die Platine (PCB) als die Transistoren in DPAKHohe Energieeffizienz durch geringere WärmeentwicklungAEC-Q101-qualifiziert.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059043654812

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